[绝缘栅双极晶体管IGBT闩锁模型研究-对IGBT闩锁与其内部四层pnpn电流放大系数模型的探讨]

【绝缘栅双极晶体管IGBT闩锁模型研究-对IGBT闩锁与其内部四层pnpn电流放大系数模型的探讨】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸 P.I 目录 内客 页次 中文摘要 英文摘要 第一章前言 第二章IGBT特点及对笑件物理的讨论 一.IGBT哭体结构及性能特点 二.IGBT器件主要电学参数讨论 三.IGBT器件的发展 第三章对决定问锁的电流放大系数 35.模空研究 一.引言 二.电流放大系数模型.三.计算结果与讨论 49.第四章对影响IGBT伴问锁的重要参数分析 并就提高器件门锁能力进行折哀考虑 一.Rs的计算结果:59.二.合理的树沉结构:64.浙江大学研究生学位论文用纸P．3.内容摘要 绝缘树双极晶体管(IGBT,是近年来击现的一种 新型功率开关器件。由子它在电流处理能力[2)、阻断电 压[3]、乃至安全工作区等方面具有比双极、MOS器件更为优 越的特点,因而得到了重视和广泛的接受,吸引了众多的 专家学者对这一新器件进行研究.本文首先阐迷了这种新器件产生的历史背景,对体 的结构、性能特点及器体主要电学参数进行了分析和讨论.由于IGBT器件的特殊结构,决定了它具有一种潜在的、能使哭件发生毁坏性失效的寄生现象,即改谓的问锁效 应(Latchup)。浙江大学研究生学位论文用纸 P.ABSTRACT THEInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)is arec- ently y developed new power switchng device.I has become videly yrecognizedthatIGBT is superior to bothbipolartran Sistor and power MoSFET in respect to current hanoing capability2), blockmg voltage andevenSOA.
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