【等离子体刻蚀的质谱监控和终点批示】.pdf
浙江大学研究生学位论文用纸P:/论文摘要 本丈首光叙迷了等离子体刻蚀工艺原理,说阴 了理论上描述刻蚀过程的困难.缺乏大量的基亢仅 应信息,并分析了者种工艺为量对蚀刻将性的影响.推导了侦谱法监测CF4+0等离子体中3和含3i化 合物刻蚀进程的理论公式,可ZLS-150四极流侦器 取样等为子中中性气体分子进行分析、监测实验,定 骚结果与理论分析投好地吻合:明了仅应钟罩中 刻蚀产物3iF4分压强与刻蚀特性如刻蚀速率、刻蚀 足择比、均匀歧和方向性之间的关余。
浙江大学研究生学位论文用纸P,3 目.录 论文摘要(中文) 论文摘要(英丈) 第一章绪言一 第二章等离子体刻蚀的工艺参数对刻蚀性肱 的影响一一-82刻蚀工艺中的等离子体—-多2等离子体刻蚀的工艺参数对刻蚀过能 的影响一—一 -16 第三章等离子刻独的侦谱监控原理一一 多3辉光放电质谱马中性气体取样 -28 83中性气体分子取样的气路模型一一一 -29 3均匀性和方向对刻蚀中PAt)演化律 的影响 -33 多3等离子刻蚀的送择比一—一 —39 33.侦谱检测等为子刻蚀进程的稳豆性 分析一—一 多3.
浙江大学研究生学位论文用纸P.第一章言 在微电子工业中,随着大规棋和起大规模菜 成电路的发展,对刻蚀工艺提出了越未越高的要 求。不仅零求加工微米圾以及亚嫩米圾的精细 城柔,而且还要肱严格转换掩膜图形。来用了 由子束暴光等光进技木之后,尽管可以做出小于 1um残完的光蚀肢掩膜图形,但如果使用温 法刻独工艺,则得不到正确的图形转损,因为湿 刻最多黑献获得 5 4m城宽的加工 图形。1 其 镰用是:1>湿刻过程中,光独服易于读脱,导 致被蚀材料线杂边缘粗超;2>表面会有与论 形成,立作为一丫局城掩而使刻独不均匀; 3)温法刻总在纵向和横何是等走度腐烛,即 各向同归。