【功率MOS器件二维非等温稳态模拟】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸 PI TWO-DIMENSIONAL NON-ISOTHERMAL STEADY-STATESIMULATION FOR POWER MOSFETS ABSTRACT The progress in semiconductor devicemodeling isreviewed and the importance of numerical appro-aches in research and development.of devices is em-phasized in the thesis.

浙江大学研究生学位论文用纸P.Ⅱ.内容摘要本文回顾3 半导体四件数值模型的发上,张凋 3 数值方法在件研究和开发领域中的重要性.结食国内 MOS 功平四件没叶的观状和东专业的特兰,提分了开发功平 Mas 晶你管等温和非等腹二维稳态模拟口”的必要性和可行性.本文给多了基本的半导方程以及相应的边界索件,益且对有关物醒参数的数学模型一迁移平、手尘一复合单、东征载流子浓度、盘导平、担产生另和巡阻等作了必要的描述。

浙江大学研究生学位论文用纸P.V 目录.内容摘要.引音.第一章,功中 MoSFET 的差本结相与特性.功率MOSFET的概述.§1.D-MoSFET 的基本结柏.VD-MoSFET 的将性.第二章,是本万程和物理数学模型.基术方程、.边界条计.物理考数模型.迁鹅平、手生一复合平、东征载流子限度、盐导中、盘手生易盘阻.第二章,数值方法 32.多3.方驻的归一化,2.网格结柏.