【功率光导开关的研制】.pdf
浙江大学研究生学位论文用纸P Abstract A high dark resistivity,semiconductor-photoconductor switch can betransformed fromsemi-insulating state to qusi-metallic state almost instantaneously when it is illuminated by high power opticapulseand outputahigh power electrical pulse.
6浙江大学研究生学位论文用纸P.目录,弘表面电荷密度法术解电阻程序框图 3对形响电阻各参数距汁裕机模拟汁标22 理光导开关的导通电与实现低e欧姆接触 红通过金一半接触的载流子人运机理 1光电导甚本原理 2光导开关甚本原理 亚光哥开关的暗电随分析 暗电阻的汁标机汁示 4汁林危果讨论 3比接触电阻羊e 4制作欧姆接触主要方法 5激光掺朵的热处理模型 接触电子的测另 卫光寻开关参数的选择 光子开关的制作工艺 工基本理论 Ⅱ选题依据 的方法 金一半接触 绪言
P.单位 ev er CM-1 F/cm.m lem- mm mm.mm.A er ev T/cm ncm, 浙江大学研究生学位论文用纸 表 号 义 半导体势带宽度 村未对光的吸收利数 英空中介电常数.与相对个电常数 波长 电子电吴 无光照对半寻体的干衡载底子浓重 有光些时关注入产生凡非平御载泥子微度 光生载深子的平均寿命 短形电极的长宽 短形电极间的距意 样品基片截面尺寸 金一半接角势多宽度 半导体导.价带能吸 符 意.光子能晃 电每年 电流密度.金半鹅丝高度 激光能是密度 比接出电题 符号 PS hv.y 八 2 no.P.n.L、D A.