【结构兼容型功率IGT的MOSBJT导通比例模型及其用於无闩镇器件设计优化之研究】.pdf
浙江大学研究生学位论文用纸 P.I 目录 摘要 P-3 第一部分 沉文背景述 P-7 g1-1 功卒IGT器件开发之背景 P-7 1-2 功卒IGT器件物理的一般讨论 P-18 1-3 功中IGT导通态模型及优化没计理论分析背景 P-23 第二部分 功平IGT导通态汁标模型及其参提取 P-28 s2-1 导通态计林模型 P-28 2-2 模型参的提取 P-第三部分 功卒IGTMOs/BJT直流分径比例入*值之研 P-54 s3-1 影响入*值的因素分析 P-54 3-2 对于入*值之研究 P-57 第四部分 高压无问锁功卒IGT做图模拟优化没计之所究P64 §4-1 优化没计及其Jo
浙江大学研究生学位论文用纸P．3 摘 以结构兼容化为特征的第三代功辛硅器件的出现,是近三四 年来半导体功卒电子学领域一丁相当重要的趋势。其没计目标是将 MOSFET的栅控特性和双极型器件的大功中特性以结构兼容的方就 组合成一种新的器件,使其在功子特性上比以往的功平MoSFET 和功辛双极型器件更具有某些理想化特征.绝缘栅双极晶体管(I6T)是美国GE公司1982年开发的一种 MoS/BJT兼容型功辛器件.从机理上看.它是一种由两种载流子梦与 导电的双极型器件,同时又具有Mos栅高输入阻抗的特征。和 VDHoSFET相比,由于IGT引进了高阻区的电导调制效应,使得导通 电阻Ron大大降低.
浙江大学研究生学位论文用纸P,5 ABSTRACT The emergence ofstructural combined siliconpower devicesisaratherattractivetrend.intherecent development of power electronics.The design goal is tomixtheMoSgatewithcertainpowerBJTstructures toformnewkindsof powerdevices.