【直拉硅中氧沉淀的早期阶段以及新施主机理的研究】.pdf
InvestigationotthebarlyStageofUxygenPrecipitation andtheMachenismofNewDonorinCZSilicon SheSiming Themicroprecipitationsanddislocationdipoles in the bulkoftnecSiliconannoaledat‘75o°Chavebeen investigat-edbyTE.Theetcn pitassociatedwiththesame typebutsmall-eruefectsgeneratedat550°-580°wereobservedby
54氧沉淀及其诱生缺陷的光学显微镜观察 54缺陷浊坑形镜的扫描电子显微镜观察 5缺陷蚀坑与实际缺陷的对应关系 5新施主的形成机理及其热处理行为 C.碳对ND的高温稳定性以及氧沉淀尺寸稳定性 d.新施主电离能随热处理条件变化的机理 四、实验结果 4氢气氛中热处理 4缺陷的TEM形貌观察 545高温快速热处理 五.分析讨论 52有关新施主的讨论 a.高氧低碳样品 b.
氧是直拉单晶硅简称(2硅)中含号最高、且行为 复杂的杂负,其含量约为10cm-,除重来质外,没有 那种来超过氧的含量,所以人们很早就对它进行了研究,自collins测量硅中氧第一张红外吸收谱图以来。对于 硅中氧在热处理过程中的行为的研究,主要是围绕着:施 主效应、氧沉淀及其诱生缺陷两方面进行的,五十年代,Fuller{2]kaiser3]等人发现含氧硅经45oC退火后.电 阻率发生漂移一产生了大号的施主.这种施主通常称为 热施主TD,直到大约匕十年代中期,人们关心的主要是 热施主,但是热施主并非是与氧有关的唯一的施主形式.