[离子注入的Monte-Carlo模拟分析]

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浙江大学研究生学位论文用纸P./摘要 本文基于 Lss 理论,用 Monte-Carlo 方法模拟 计算了不同能量的硼、磷等离子注入非晶硅靶 及si0/si靶中的射程和能量淀积分布。对于多 层、多原子靶如si02/si,利用概率分布出数和 比倒出数使它转换成普通靶材料的计算。为了 节省机时,米用单次散射模型,整个计算在微 型机上就能进行。计算.结果与人SS理论结果及 IBM公司提供的丁.R.Biersack等人1985年的计算结 果基本相附,并且介于这两者立间.对高斯型 分布的微细离子来注入.浙江大学研究生学位论文用纸P 目录 第一章前言 第二章射程分布理论简述 a 简单的射程分布理论 d沿着路径测量的射程分布 第=章Monte-Carlo方法基础 Monte一Carlo方法的基本思想 伪随机数的产生与随机变量抽样方法 第四章 非晶靶中离子注入的Monte-Gmlo方法模 拟的理论基础 §41 核散射和能量损失 54.d 电子散射能量损失 坐株变换方法 .4 多层、多原子靶的处理 第五章计算步骤与结果分析 51计算步骤5程序谎明 计算结果的比较分分析 第六章 微细离子来注入的模拟分析 361二维高斯分布的随机抽样方法 计算结果与分析 第七章离子注入的实验浏量与结果浙江大学研究生学位论文用纸P 第一章前言 离子注入是低能核物理与因体物理之间的 一门边缘学科。近二十年来,由于电子来曝光 和离子来技术的出现,使半导体器件的研制与 生平得到了飞速的发展.离子注入作为一种半导沌掺杂新工艺,与 热散工艺相比具有很多优羔。利用它,可以 得到很浅的结深与很好的注入国形,使半导体 集成电路的几何尺寸进一步缩小,开关速度进 一步提高。目前,离子注入在半导体器件的生 乎上己得到了广泛的应用,我们国家很多工丁 与科研单位都已普遍采用离子汪入技术研制新 型半导体器件,同时对离子注入的基本理论5 工艺的研究工作也取得了一定的成果。