【离子注入的Monte-Carlo模拟分析】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸P./摘要本文基于 Lss 理论,用 Monte-Carlo 方法模拟计算了不同能量的硼、磷等离子注入非晶硅靶及si0/si靶中的射程和能量淀积分布。对于多层、多原子靶如si02/si,利用概率分布出数和比倒出数使它转换成普通靶材料的计算。为了节省机时,米用单次散射模型,整个计算在微型机上就能进行。计算.结果与人SS理论结果及 IBM公司提供的丁.R.Biersack等人1985年的计算结果基本相附,并且介于这两者立间.对高斯型分布的微细离子来注入.

浙江大学研究生学位论文用纸P 目录第一章前言第二章射程分布理论简述 a 简单的射程分布理论 d沿着路径测量的射程分布第=章Monte-Carlo方法基础 Monte一Carlo方法的基本思想伪随机数的产生与随机变量抽样方法第四章非晶靶中离子注入的Monte-Gmlo方法模拟的理论基础 §41 核散射和能量损失 54.d 电子散射能量损失坐株变换方法 .4 多层、多原子靶的处理第五章计算步骤与结果分析 51计算步骤5程序谎明计算结果的比较分分析第六章微细离子来注入的模拟分析 361二维高斯分布的随机抽样方法计算结果与分析第七章离子注入的实验浏量与结果

浙江大学研究生学位论文用纸P 第一章前言离子注入是低能核物理与因体物理之间的一门边缘学科。近二十年来,由于电子来曝光和离子来技术的出现,使半导体器件的研制与生平得到了飞速的发展.离子注入作为一种半导沌掺杂新工艺,与热散工艺相比具有很多优羔。利用它,可以得到很浅的结深与很好的注入国形,使半导体集成电路的几何尺寸进一步缩小,开关速度进一步提高。目前,离子注入在半导体器件的生乎上己得到了广泛的应用,我们国家很多工丁与科研单位都已普遍采用离子汪入技术研制新型半导体器件,同时对离子注入的基本理论5 工艺的研究工作也取得了一定的成果。