【氮氢氢直检硅学晶清洁区形成规律研究】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸P.自录摘要I.绪论Ⅱ.文献家述2EG方法32G效应 -1杂质在硅中的行为 2°IGI艺-多2 1G和 EG效应之向的相至作用Ⅲ.实验和法果分析3实验思路清洁区变化规律和体内缺陷的变化—亚向题讨论和结论参考文献附宽的推导.

浙江大学研究生学位论文用纸P.长大时向的正长而变窄;阶氧沉淀长大温度的升高而变宽; iv)氮直拉(硅单晶N气氢下的三步1G 工艺形成的清造区,具有可靠的热稳定性。

浙江大学研究生学位论文用纸P./I:绪论自从半子体向世以来,缺陷就和人们结下了不解之缘。研究它的行为和危害,找出消除.控制和利用它的方法,乃是半导体科学的永久课题。近几伞来出現的吸除技术,就是利用缺电子管的除气工艺中借用来的,在现在的半导体工艺中则是一种利用缺路吸除缺滔及金属等有害杂质的以毒攻毒的技术。这种技术的基本思想是利用半导体片子上非器件区(如背面及硅吸除技不可分为外吸除又称非本征吸除,extrinsicgettering)技术和内吸除(又称本征吸除,intrinsic gettering)技术.表到出了各种吸除方法的比较。