[氮氢氢直检硅学晶清洁区形成规律研究]

【氮氢氢直检硅学晶清洁区形成规律研究】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸P.自录 摘要I.绪论Ⅱ.文献家述2EG方法32G效应 -1杂质在硅中的行为 2°IGI艺-多2 1G和 EG效应之向的相至作用Ⅲ.实验和法果分析3实验思路 清洁区变化规律和体内缺陷的变化—亚向题讨论和结论 参考文献附 宽的推导.浙江大学研究生学位论文用纸P.长大时向的正长而变窄;阶氧沉淀长大 温度的升高而变宽; iv)氮直拉(硅单晶N气氢下的三步1G 工艺形成的清造区,具有可靠的热稳定 性。浙江大学研究生学位论文用纸P./I:绪论 自从半子体向世以来,缺陷就和人们结下 了不解之缘。研究它的行为和危害,找出消除.控制和利用它的方法,乃是半导体科学的永久 课题。近几伞来出現的吸除技术,就是利用缺 电子管的除气工艺中借用来的,在现在的半导 体工艺中则是一种利用缺路吸除缺滔及金属等 有害杂质的以毒攻毒的技术。这种技术的基本 思想是利用半导体片子上非器件区(如背面及硅 吸除技不可分为外吸除又称非本征吸除,extrinsicgettering)技术和内吸除(又称本征吸除,intrinsic gettering)技术.表到出了各种吸除方法的比较。
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