【非晶硅薄膜的沉积及其太阳能电池的研究】.pdf

【非晶硅薄膜的沉积及其太阳能电池的研究】.pdf

非晶硅薄膜的沉积 及其太阳能电池的研究 劳一章 红概沈(单一页) 氢化非晶硅薄膜(HydrogenatedAmorphsus S;licon,简称非晶硅或a-S;:H)是从七+年代开 始发展起丰的一种钻颖的半导体材料,与单晶 硅丰寻体材料相比较,非晶硅落膜具有一些转 光范围内有转单晶硅高一个数量级的完吸收 数.通过掺来战改变薄膜中氢合量可调节其能 带间隙的竟度以适应久种光电子器件的要求等 等。另外,非晶碰薄膜的备工艺简单,并陆 够生长在永种不同材料的付底上;由气相沉积 可以直接地、连续地大规模世生长生各种掺杂 和本征型非晶硅及其合心薄,这些特征使巧 非晶硅材料在光电子哭件的应用中具有与一定的规律性,弃与单晶硅有类似的结杨”,即 短程有序.四价元 素硅 之间是靠四个 SP染 化共价键结永四个糖是真四画体对静性,键角为说 合的,(即键:无序),而S;-S; 乏间a结合能也会在晶件 s;-S; 键肽(3 ev)(3 附近 发生 扰动.这种键 关和键南更化将会影响靠近导带和价常也缘即帝 尾态)认电子态 6非晶硅中的缺陷以及它的作雨 在无氢的非是在薄膜中包含有大量的缺陷,与单晶硅相比较,补 中产生电导的是城态[6] 晶硅薄膜的密世技小,甚正还小于从理想无规 和当大的自旋共振信号,这说明它们是未成对 缺陷态可能是处子空凋的内表面.和一S;H基团,在从隙中仍保韶着转高:态密后.这些缺陷飞充当予复合中心的作用,薄膜山光 电性能没有的以玫善,固此,控别氨在非晶在 中乌硅的结合形式,也是研究沉积非用晶碰薄 膜的工作中的个重要以环节.由非晶硅薄的盐释谱研完表明,当落膜 玻加热至温度高于沉积温好(300°℃)时,氢就 会从落膜身中释生,从而使薄膜中:是挂键增 加[1])因此,在非晶硅薄膜的实际应用中,样品 的受热效应也是限制非晶碰器件实际应用心一个因素。非晶硅:结为模型:在前面,我们已说明了非晶硅落膜结构; 短整有序性。