[大剂量注入氮离子的SOI结构研究]

【大剂量注入氮离子的SOI结构研究】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸P Formation of Silicon-on-Insulator Structures byImplantedNitrogen ABSTRACT Thedevelopments of nitrogen-implanted silicon-on-insulator(Sol)are reviewed with emphasis on the recent advances of the study.Criticalproblems dealingwith the buried SisNastructure are analysed according toth浙江大学研究生学位论文用纸P.Ⅲ 的方法。浙江大学研究生学位论文用纸P.绪 言 随着信息革命的发展,集成电路历经了 LSI、VLSI,正在向看ULSI以B具有更高集成度的三维 集成电路发展,以期进一步优化器件性能,提 高成品率,降低成本并使产品小型化。我国的集 成电路产业也向着VLSI迈出了步伐。因此,高技 术的研究亦已成了当务之急.SOI(Silicon 一on- Insulator)材料是八+年代蓬勃 发展的高技术产品。用这种材料制造器件,速,度 快、动态功率横耗低,抗辐射性能强,可以 提高隔离电压,完全消除CMOS的门锁效应,简化工艺步序,并能利用这种技术,制造高集 成度的三维集成电路。大大开拓集成电路的发 展前景。
———— 文字由OCR识别(未校验)，可能存在错字；请以原始完整版为准。