【本征吸杂工艺研究】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸P.摘要本文在综述和分析前人研究成果的基础上,从实际运用的角度出发,探讨了如何选择恰当的内吸杂工艺的问题。指出:一采用先低温后高温的成核处理和适当延长生长时间,可以解决较短时间的内杂不能在硅片内部引入足够氧沉淀的向题.二从实验模拟硅片所经受的器件工艺热处理的结果看,控制总的高温热处理时间和在氧外时采用含气可以在一定程度上避免洁净区的退化.最后给出了运用上述结论于CCD1024移位寄存器的制造所得的结果。

浙江大学研究生学位论文用纸 P.目录第一章绪论第二章本征吸杂的原理和工艺 2、1 硅中的氧 2、2 本征吸杂的物理过程 2氧的外扩 2氧沉淀的成核和生长 2缺陷对杂质的吸除/6 2、3 内吸杂的工艺 2原始材料的影响 2、2内吸杂的热处理 2、4 外吸杂及具对内吸杂的影响第三章选题依据第四章检测原理 4 红外光谱法 4 MOS瞬态C-t法第五章实验 5 实验内容 5 检测方法第六章实验结果与讨论 6.

浙江大学研究生学位论文用纸P 第一章绪论随着半导体集成电路集成度的提高,最小线宽大大降低而芯片面积增加,硅中的缺陷越来越成为影响器件性能和成品率的关键。硅片中的缺陷包括晶体生长时引入的本征结晶缺陷,以及硅片成形和器件制造期间引入的非本征缺陷,更具体的分类如图1所示。各种类型的缺陷都能在不同程度上影响电路性能和成品率.硅片中的缺陷本征缺陷非本征缺陷位错表面杂质堆垛层错工艺诱生缺陷点缺陷与没计有关的缺陷新生长杂质图1硅片在生长和工艺中形成的缺陷人们对硅中缺陷的认识和控制是逐步深入的。