[微氮CZ-Si单晶的热处理性能]

【微氮CZ-Si单晶的热处理性能】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸P.ADSTRACT In thispapperpart oftheheat-treatment effects of theCz-Si crystals are investigated by IR and resistivity measurement.The C7-Si crystals grown in Mitrogen atmosphere contain 3*10.2*1ocmNitrogenatoms.浙江大学研究生学位论文用纸P 电阻率降低,n型样品的电阻率升高,然后又 降憾。爱主的产生与淌失是不可逆的。热处理 温度越高,样品中的氧含号越多,受主产生得 越快、越多。浙江大学研究生学位论文用纸P 氧含量越高,沉淀越多,最后剩下的问隙勇浓 度越接迁处理温度下的跑和溶解度,经高温处 理后,沉淀的主至形态是无定形6i0z,它引起 氧在硅中承担着重委作用:有先,氧当硅单晶 中热施主和我施主的形戏密切相关欲何而施主 的产生是器件生产中所不希望的副放应;其次,3021L;04j 药直接反应,形成复合物.再次,氧改进了硅 单晶的机城強度,阻止了切片过程中位错的滑 格26-27]] 二,硅中碳 碳也是碰中主要杂质之一,他以替位形戎 存在于Si单晶中,165m吸收是硅中碳的特征红 外吸收峰。
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