【双极集成电路与硅材料质量要求的关系之研究】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸P 致谢本论文是在导师阙端麟教授悉心指导下完成的,在此谨向阙老师表示最诚挚的谢意.在论文工作过程中,也得到了姚奎鸿教授、沈复初副教授、陈立登副教授的大力帮助和指教,在此表示衷心的感谢。同时还要感谢林玉瓶老师,在红外吸收的测量中所给予的支持和帮助、感谢李先杭老师在扫描电镜分析中所予的帮助在论文工作过程中,还得到了740厂徐传俭总工,绍兴871厂的范伟宏副总工程师,裘金伟先生,杨国忠先生的大力协助和支持,他们给予了极大的方便,在此表示感谢.还应该提到是扬起先生、龚晨光先生、杨建松先生,杨德仁博士、王燕女上,他们都给予了很多支持,在此表示感谢。

浙汇大学研究生学位论文用纸P.一、问题的提亦二,遇到的问题剖析1,碰片的热应力2硅片的拿化堆屋了件失效三实验步骤的提示第四章实验私结果一、红外(IR)吸收谱、1、氧、碳含量2、中红外—远外区城的吸收诱一二、扫描电镜分形魏三、吸李显柔实验1年沉淀与清洁区实验2、背吸身沾污实验四、射线双品衍射实验五,实验总结第五章实验结果习论和结论一、红外吸收落分析诗论1.

浙江大学研生学位论文用纸摘要刊用红外吸收、X射线双晶衍射,吸杂显示等技术,对国产,进目的、目1晶向硅抛光片的氧含量、吸收率、正面、背面、前向的物理化学状态进行了研究,从根本上确定了国产和进日晶向硅抛光片的正面,背面的本质的差别.实验表明进口片的正面损伤远远小于国产片的正面损伤,面产片的背面损伤则远远小于进口片的背面损伤,吸杂显示实验表明进目片当面附近有一层故竞引人的损伤层.使得进口抛光片皆面县有相当有效的吸杂作用,能把有害的杂质凝聚到背面附近,按得遇日片！艺宽密度大,性能良好,而国产片则无此性能实验还表明国产片的正面损伤比背面损伤还大.