【红外电荷耦合器件用掺镓区熔硅单晶研究】.pdf

红外电荷耦合器件用掺区熔硅单晶研究论文摘要掺区熔硅单晶是制作8.14um波段红外电荷耦合器件的优质材料。本文研究了掺硅单晶的区熔生长方法,并提出了区熔单晶防沾污掺杂生长技术。对生长速度和籽晶转速对在晶体中分布的影响也进行了研究。扩展电阻和四探针电阻率测试以及化学腐蚀和红外光谱分析结果表明,生长的单晶在掺杂剂和残余杂质的浓度和晶体完整性方面,满足了红外电荷耦合器件的需要。还发现较小的生长速度和较低的籽晶转速有利于晶体的轴向和径向均匀性,而且籽晶转速作用更大。

1.概述射源。作为这一重大发现的鼻祖,他决没有想到他的发现对人类的未来产生了如此深远的影响。今天,红外技术已经成为现代高科技的一门重要学科。人们可望在未来的十年辐射发现二百周年的最好纪念.1.红外电荷耦合器件红外电荷耦合器件(IR一CCD)是集成电路家族中最年青、最有前途的交者。它是集红外探测技术和电荷耦合器件技术于一身而形成的一种固体红外图象传感器件,是现代高科技的结晶.根据热成象原理,利用物体自身的热辐射可以对物体进行红外摄象。根据电荷转移原理,发展了电荷耦合器件,可以用于对红外图象进行逻辑信号处理。

型,各种探测器阵列设计不断出现,制作技术也不断发展。红外焦平面阵列技术的发展,也促进了探测器材料制备新技术的发展。许多用外延技术和离子注入技术制备的薪材料正在研究和发展之中,有些已应用到探测器阵列制作上了.八十年代以来,人们的注意力集中在适合制作探测器大阵列的HgCdTe和Si:X材料上。1983年A.H.Lockwood等用硼离子注入掺杂的HgCdTe单晶制成混合型32×32 光伏焦平面阵列探测器L年,Jhe等在西德国防部资助下,制成了128×64PtS 列.3.