【用LEEDAESUPSARAES以及SEM的方法研究Ag在Si100区面上的生长】.pdf
浙江大学研究生学位论文用纸P.摘要 女清洁有行Si(10D)面上,用ZA/mn心蒸发速率(真空带为 b10mbar连续镀银8分,获得3Ag而两互相垂直a 畴,由[EDB片上的尺寸称得A一Ag子间距292A,与体A 面上aAg一Ag后子间距289A非常接远,ARAES与VPS的结果都 证笑了区种结柏。而且退火到5℃,结构不变,同时还出 现强没较弱αAg3x1+(x3的再构面.用A后的的蓝发速率舒发银时,经过多重复没有获得有行么 A膜。短时间退火后(20℃),再用这了率蒸发银,获得了有存度 发差Ag(1I)3x1+1x3再松面,Acs生长曲缓与SEM表明3Ag膜a 岛形生长。
浙江大学研究生学位论文用纸 F 目录 3121言 己文献绛述 碰心晶格结松.表而电子态以及全骨后在吸附 2.生候一碰接触 23宽重年度一不能接触 2Ag1s:SAg k5:红染验装置与内容 以 江样点的处理与安装 2> 突验内容 州蒸发民程 忆生长曲线一AES 4.
浙江大学研究生学位论文用纸 P 层一半导体接触的套流特性匹应用生全局一半导体场效应管 以及它们组合二集成电路,光电=极策.太阳解由池等方面.困此对于金用一半与体接触的可靠性子可控性心要求是很 高的,为了更妈地了解全层一半导体界面的形伴世程,近 几年来在这方而已有很多研究,但我们对金后一半事体界 而么知只远远之不够空全。虽然从结构上看,只有為今组 之,一也是全屋,一也是半早体.但了实上,各种参娥都 会形响界而的特世.Schottky,Mot最早认为只是一简单 的全唐相与半导体相世接,与无看来区种嬉况女实际的全 一半导融中几乎是不字生的。