[氢等离子体原位清洁及减压硅烷外延]

【氢等离子体原位清洁及减压硅烷外延】.pdf月录 摘要 ABSTRACT 1.猪言 I.弥述 一.沉积前的预清洁.预清洁法 2.H-plasma pre-epitaxy cleaning 3.切底的清洁是实现低遇外延的关能,二.减压低温外延 Ⅲ.实验难备及设备 一.实验的提击.二.实验步聚及设备.实验步马骤.a.实验材料及设备.三.本文所做的工作,.实马验结果及讨论分析 一氨女离子体清洁硅树底表面氧化物结果及分析 二.氢女离子体清洁辅助下的减无外延徒果及分析 v.结论 -64-致谢.本保持不变为25 ,但电阻华均与性仍受其形 响。工绪言 随着大规模、大檗成度电路及双极CM0 S, 级微波口件发展的要求,对砖竹延的抄性 求城来城主。柳到自抄朵,仿火图形漂移及畸 变,均可的盐厚,的孙观房,陵峭的界面杂 分布川及大放棋2大容外炉的 发居,月范要求低临的她“作为也即低温外观 的一种手段的低(或减)无外观界如奴实用的.人做的减外她一般的2作无都是在102.10Tor 下进的,尽管左泌善图形畸变及均 可性女方届有了大的,但冉于存在一(uC 而朽应地处外她先性能有所下降,同时如此低 的工作无力,其生长放少及经济性方面都是 有缺陷的。
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