【硅面直接键合SDB技术的研究】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸 P.I 摘要本文首先回购硅面直接键合技术(SilconaferDirectBonding ecnno!Dsy-简称SDB)的发展过程及其应用情研究SDB技术的工艺建程,讨论了SDB的机理和模型:提出了为改善键合质量需注意的问题进行了不同条件和多种硅片处理方法的实验,在现有的实验室条件下采取定的措施,得到了较好的键合效果,讨论了键合片键合强度、键合界面润试的方法,推导了n+和叶市键台片电势分布的公式,从数学上分诉了利用红外热象仪对键合片界面缺陷的主动双面法检润时的表面温差,对SDB 技本走向实用化阶段所要进行的研究提出了看法:SDB技本的研究和应用将

浙江大学研究生学位论文用纸 P.Ⅲ 目录第一章绪论第二章硅面键合技术的回顾第一节真空全属键合— 第二节使用粘合剂的硅片键合军三节场助键合审四节生面直接银合第三章硅面直接键合(SDB)技术第一节SDB技术工艺过程机理— 一.表面活化吸附H固— 二.硅片贴合和预键合—.三.高温下国态拧散键合.第二节.工艺条件对硅片键合的影响审三节娃片键合过程的部分模型二氧化娃表面二的水.二、硅片键合热处理过程反症动力学中四节 SOI键合片的减薄技术 SDB技术的动用市五阜银合娃片的测试方法第一节n+/n、P+P键合片的电势分布理论公式第二节SDB硅片的红外无损检测

浙江大学研究生学位论文用纸P 第一章绪论自五十年代中期硅功率管向世以来,功率器件不断得到发展,它的社用不仪迅速扩大到工业装备中,而且已渗透到人们的日常生活中去。随着应用范围的扩大,对功率端仲的性能要求也愈来念高,红立而生的出玖了许多新型结构的器件,随器件结构的发展对别造器伴的材半斗和工艺提出了新的要求,如硅的功率默件广泛应用于高出直流输电系统中,这要求提高器仲的耐无和最大电流控制容量,而这受到获得高质懂硅片及制造技术的限制。所以要获得高性能的娃功率器件,娃材料的质量开究及工艺技术的妍完是关键。功率器件的制备要求在低阻材料上形成高阻层以获得高的去穿电无和低的导画电但。