【硅烷减压外延及其对自掺杂的影响】.pdf

P.浙江大学研究生学位论文用纸摘要本文从性论上研穷了自扮乐的机理及响自扮乐的各种2艺因秀,寸心了几种官用的叩制自扮杂的方法。提出了一神新的抑别自扮来的2方法—H.甘考子体你温民位研穷表明.H其离子体清活是有岗活温舟你。不冶污衬后子外延层,清活的果好,没奋俏单为箫身优真,是一种比有前困的新型清在用会甘离子本清活过的搬夫片世行减飞升延后,对外延居一衬界面的杂君分布世行了亦流的河心,发现用什母离子体从丑过的我不外延片不仅是有的辱声和电姐辛的的匆性,两且过须飞的宽舟也很窄。实俭问出.多后力1降至120己时,液飞象后多减主a89μm 清洁.传投术。

4 4 4 52/录浙江大学研究生学位论文用纸目引.低温收死外延从遇减应外延的种类减后外证生长的访力含反性的研分 H*离子体打术的起涯 H老子体的清洁机别的研究什么叫自挤朵自乐的机让的研分响自抗朵的2艺因素扬别自扮来的方法书二章.实验的提出.准奋及备搞要 ABSTRACT 诸言弟一章.交南综述一、乃史回顾 3外1.H甘离子体技不自杂 32实验的提出 =.三.一二.三.四.

浙江大学研究生学位论文用纸绪言随著大规模、有集衰电路及双极CMO5、有故微波口件的发已,对外延的特性雪求越未越文。未用减无外延挂术,以抑别自掺杂,防止图形漂及变,这将是外延生长均身的超厚、超薄外延层,并要求其是有陵峭的界面杂质浓度分币的有放于段,也将是兮仍外延正硅外延中生衬底来质瓦子移到外延层中的现象叫作”自杂。。十余拿来,不少作者个模型,提出的抑制自来的才法也不少。国是随著大规模集我电路的发已,抑制自杂是自掺来的存在,给四件制造带未种种困难.我们知道,汗多硅四件和双极型集城电路都是做在重掺杂衬底(身埋层飞)上的轻扮朵外延层中的。