【单晶硅基片表面微结构研究】.pdf
浙江大学研究生学位论文用纸 P.i ABSTRACT The purpose of the present work was to apply x-raydouble crystal Idiffractometry tothe studyofthedamaqed layer in slicing surface,chemical etching and technique without abrasion.Aftera layer of some thickness of silicon mat-erial was removed by chemical etching,the rock
浙江大学研究生学位论文用纸P.iii 摘 要 本文采用双晶射线衍射仪研究了硅片表 面机械损伤层的微结构,什学光和以切代磨 工艺。实验用逐层减薄的方法,测量切片不同 深度的摆动曲线,并用Voiyt函数法进行分析,结果表明随减薄深度增加,摆动曲线的形状因 子减少,最后接近高斯峰形。损伤层包括.8Mm 的产重碎裂区,数的微观畸变区和一定范围 的轻微畸变区。切片径双磨处理,不平整度有 所改善,但畸变损伤并未降低。用功片直接化 腐的以切代磨工艺,碱腐后硅片质量与传统工 艺的结果相当,可简化工艺,节者2 的单晶 原材料。
浙江大学研究生学位论文用纸P.V 5.实验结果与讨论 5机械损伤层的结构 5基片制备的以切代磨工艺 -55 5 基片 工艺的改进措施 -58 6.