[全自动磁控反应离子刻蚀机控制部分的设计和研制]

【全自动磁控反应离子刻蚀机控制部分的设计和研制】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸 P ABSTRACT Dry etching has been used in recent years for the patterning of small linewidths during the manufacture of very large scale integrated(VLSI) circuitspared to conventional wet-etching techniques,it has provided bettermasktransfer characteristics andetching control,lower浙江大学研究生学位论文用纸 P 目录 第一章绪论 第二章反应离子刻蚀机基本组成部分介绍 5).2 反应离子刻蚀装置发展概况 5).2 装置基本组成部分概述.2 MRIE反应室结构S2 MRIE送取片机构MRIE气路系统.2 .2 MRIE真空抽气系统.2 MRIE射频电源第三章MRIE自控系统的总体设计S3单片机简介S3MRIE自控系统的技术功能要求S3MRIE自控系统的总体设计第四章MRIE自控系统的硬件设计S4.浙江大学研究生学位论文用纸P 第一章 绪沈 干法刻是微细加工技术中雨一了重要环节,艾 离子刘蚀(PE)是目前应用最善遍的干生到蚀方去之一.*正能(和物理溅射刻蚀女许多优点。而殊控及应离子刻蚀(MRIE)是如及应离子刻蚀机理的基础上亚反应空中引入 适者间分布殊场,蚀得刻蚀的多亚指好有进一是两双善,尤 其是刘蚀迷率有比显的提了.LSI和VSI要求平法到蚀装置具有良好a艺性制 此外,还应尽易减少污染和身握伤。由子及应离子剩地 过程相当复杂,觉所清及的许多甘离子化学及应住了是非予 衡的,物理提象又常是非线性的,而电场的空间强 和电子密度也而是非场为的.
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