【不故意掺NGaP半导体材料禁带能级光谱特性研究】.pdf
浙江大学研究生学位论文用纸P 致谢 本文工作是在导师丁昌教授的悉心关怀 和指守下完成的。在态个论文阶段,华伟民老帅热 情、细致的指守也使个者获益非浅。本文工作所用 样知更是他的幸勤努无的结果,在此表亦变心悉 湖.作者要悉渊中国科学院世春物国研究所变 研究员,本工作的测试方案是在世的指守下事定 的,许多一作也是在她的拙心指守下于长春物谬 所空贰的.作者不念忘记蕾绊像老师和沉雅珍老师,没有 批对我的指导本邦的,本文工作间样无法空成.在 以,深表谢意.你者还要否谢葛秋娟小姐和.王傲你姐.论又阶 段.的热快细心的邦助、使作者至分难志。
浙江大学研究生学位论文用纸P.Ⅲ 峰中心红移。我们分解出了室温时(300K)发射峰 中心于555nm的沉于自由激了发光的纯绿子峰,在 室温时由于其成为最强子峰而使LED发射为纯绿.通过研究.我的认为0.P.Ga在特定条件下可 能形成造成红外峰发射的深中心,从而形响二极 营的发光放率.应注意在外延生长过程中手以控制。
浙江大学研究生学位论文用纸P.目录 S1.引言 2.GaP研究的发卫概既况及布作意义 2.1 GcP理论研究手段的发展 GaD实验手段的左 2、2 23 有关Ga深能级研究缩述 2右z作的意义 G即晶体发光机理 31辐射多合 了书复兮 了自由激子复合 了了魂主受主对变合 了中性砸主的来缚激子变合 315浅绝主与价带自由空久变合 3等电子陷耗缚激子多合 3非辐射复合 321Auger复合 3非输射复合中久 了.了多声子过程和共转移 4有关光谱分析理论 4.