【高纯度低成本硅烷工艺研究】.pdf
摘要 甲硅烷已成为现代微电子工业中一种最重要的高纯硅源气体。八十 年代中期,硅烷的制备和提纯技术在日美取得了突破性进展,高纯硅源 气体生产发生了巨大的变化,硅烷价格大幅度下降,销售量急剧增加.我国在60年代末开发的硅化镁硅烷工艺能否进一步降低成本,提高硅烷 质量,直接关系到该工艺是被淘汰。在本论文的工作中,主要就怎样降 低硅烷的成本,改进提纯工艺,降低甲烷含量,提高硅烷的质量进行了 在国内的硅烷生产中,甲烷含量高,波动幅度大,是制约硅烷发展 比较重要的一个因素。在论文中,分析了硅烷制备工艺的各个环节,提 出了两种可能引入甲烷的途径,并设计了两个不同的实验,证实了甲烷 的沾污源是液氨和碳化物。
—Ⅲ-ammonia,phosphine,methane,ABSTRACT Silane,the most important silicon source gas,hasbeen extensivelyusedinmodern microelectronic process.Seeking for lower cost and higher purity is themajorchallengeofthesilanetechnology.
21 -21 -22-25 -26 -27 -31 -38 -40 -40-46 -48 -50 -50 V 录目 一.金属硅化物法 二.金属氢化物法 一.化学提纯方法 我国硅烷的生产现状与选题 我国硅烷的发展历史 我国硅烷的技术状况与选题 低成本硅化镁合成工艺研究 硅化镁的基本性质 低成本硅化镁合成的技术设想 硅热法炼镁的基本理论 硅化镁合成实验 新旧硅化镁合成工艺的对比分析 气相色谱-质谱联机系统 气相色谱的基本原理 质谱仪的基本理论 色谱-质谱连接装置 TE-360色谱-质谱联机系统 硅烷中甲烷的沾污分析 6-1硅烷中甲烷沾污的现状与分析方法 前言 第二章文献综