【大光腔GaAsGaAlAs半导体激光器的研究】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸 P 目录摘要第一章前言-81课题的目的和意义-1国内外进展-1研制大功率GaA1As激光器的互作简介-第二章基本原理-2 DH激光器的基本原理-2 限制功率提高的两个主要因素2 大光腔结构-2 本章小结-第三章大功率GaAlAs/GaAs半导体激光器研究的总体设想和准备五作-3总体设想-3制作五艺-.3 外延系统的准备-S3.

浙江大学研究生学位论文用纸 P3 Abstract High pover GaAs GaAiAs seaiconductor laser is dn iportantcleaent in the odern optoelectronics.The topic of this thesis is LoC GaAlAs DH LD,which is used for high porer cw output.InChapter 1weintroducethe iportanceoftherstarchrkun the high pover cw operation of the GaAiAs

浙江大学研究生学位论文用纸P．5 第一章前 1课题的目的和意义光电子器件与集成技术的发展,标志着信息技术正从电子时代走向光电子时代1986年4月,信息光电子器件与集成技术作为主要研究领域被列入国家高技术研究和发展计划。其中半导体激光器又是主要的研究器件,1962年,美国和苏联.几乎同时报道GaAS扩散异质结脉冲激光器的诞生以来,半导体激光器已得到相当大的发展,主要包括:大功率半导体激光器、低阔值半导体激光器、动态单纵模激光器、稳频窄线宽激光器、超短光脉冲激光器和面发射激光器等众多领域,半导体激光器与其它的固体、气体、染料等类型的激光器相比,具有体积小、重量轻、效率高