[平面高压终端研究]

【平面高压终端研究】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸 P.目录 前言 摘要 第-章关于高压器件 P1 S1 功率器件发展方向 P1击穿 p1 3突变结的击穿 P5 §4线性缓变结的击穿 p7 S5关于平面结的击穿 P9 G提高击穿电压的途径 P17 第=章,平面型高压 PN结 P21 终端技术 51平面结击穿电压增移 P22 现象与表面稳定技术 2.浙江大学研究生学位论文用纸P 前言 随着电力电子工也的发展,电力电子 体受到了旧益广泛的应用。不断拓新的 应用城要求这些四体有更大的电流 挖制能力和更高的耐压水平。于是,大电 流.高耐压就成了功空四体的主要发展方 后,提高平面四件的而压水平就成了人们 主要的关注方向。为此,人竹发明了一子到 提高平面四件耐压水平的措施持术,这 些括术称为平面高压约端持术(h-vo烛 device terminat:on techn:ques) 在提高耐压的方向一,提高低 阻硅片衬底的击穿电压具有特别的意义,困为这意味着在高的击穿电压下具有离大的 电流,小的功耗,并有利于解决散热问 题,本论文的主要方向浙江大学研究生学位论文用纸P 由上可知,遍过我心的作,基础的理论 得到了建立,其中,关于固定电前对耐压的 与[32]的计实机模结果精确致。而 关于场板场强的计算为半覆盖场板的设汁 提出了依振和指写,并精确也给出能提高耐 压值,5HamzaT:1ma的计算机模可学-致.实验与理论有合书好。
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