【平面高压终端研究】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸 P.目录前言摘要第-章关于高压器件 P1 S1 功率器件发展方向 P1击穿 p1 3突变结的击穿 P5 §4线性缓变结的击穿 p7 S5关于平面结的击穿 P9 G提高击穿电压的途径 P17 第=章,平面型高压 PN结 P21 终端技术 51平面结击穿电压增移 P22 现象与表面稳定技术 2.

浙江大学研究生学位论文用纸P 前言随着电力电子工也的发展,电力电子体受到了旧益广泛的应用。不断拓新的应用城要求这些四体有更大的电流挖制能力和更高的耐压水平。于是,大电流.高耐压就成了功空四体的主要发展方后,提高平面四件的而压水平就成了人们主要的关注方向。为此,人竹发明了一子到提高平面四件耐压水平的措施持术,这些括术称为平面高压约端持术(h-vo烛 device terminat:on techn:ques) 在提高耐压的方向一,提高低阻硅片衬底的击穿电压具有特别的意义,困为这意味着在高的击穿电压下具有离大的电流,小的功耗,并有利于解决散热问题,本论文的主要方向

浙江大学研究生学位论文用纸P 由上可知,遍过我心的作,基础的理论得到了建立,其中,关于固定电前对耐压的与[32]的计实机模结果精确致。而关于场板场强的计算为半覆盖场板的设汁提出了依振和指写,并精确也给出能提高耐压值,5HamzaT:1ma的计算机模可学-致.实验与理论有合书好。