[准分子激光诱导硅掺硼]

【准分子激光诱导硅掺硼】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸 P.I 目录 第一章激光诱导掺杂的历史回顾 1回顾 82本文目的 第二章实验 1实验装置 82实验方法 第三章实验结果 81光脉冲作用下硅表面的相态 2PN结的电学特性 83掺杂质硼和载流子浓度分布 第四章理论分析及结论 81激光诱导制作PN结的机理及理论计算 82基片加热对激光气相化学诱导掺杂法的影响 第五章小结 文献目录 致谢浙江大学研究生学位论文用纸P.Ⅲ ABTSACT ThispaperprovidedtheexperimentofGas Immersion Excimer Laser Chemical Doping(GIELCD) boron in silicon substrate keptat 573K,while others performedGIELCDatroomtemperature:The electricalpropertiesof.浙江大学研究生学位论文用纸P 成的PN结用于制做硅二极管,测试表明:其电学特性比一般 商业用的硅二极管的电学特性要差,特别是反向漏电流要比 常用互艺制成的PN结高近三个数量级,这主要是由于当时形 成的结的区域很小(1mm²),高能激光引起的损伤对器件的 电学性能影响很大,鉴于这个原因,这方面的研究互作就没 有受到更多的重视.七十年代末期,美国OakRidgeNationalLaboratory 的J.C.Wang等人开展了用高功率Q开关的Ruby激光做经离子 注入砷的硅样品的退火处理[2],Ruby激光的波长为693nm 单脉冲光能密度在1～1.
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