【硅烷热解法超纯气体接触表面处理技术】.pdf
摘要 当今微电子工业已经跨入极大规模集成电路亚微米时代。随着晶 片集成度的进一步提高以及各种先进化学汽相沉积(CVD)技术的涌现,微 电子工艺对超高纯电子气体的纯度与浓度稳定性提出了越来越高的要求.在这种情况下,由气体容器、阀门及管道内壁的杂质释放引起的痕量沾 污对于高纯电子气质量的影响就显得极为重要。因此,开发有效而可行 的超高纯电子气体包装技术是提高微电子器件可靠性和成品率的必要基 础。自前国内外对这方面的工作很重视,纷纷将其列入未来的微电子发 展规划中。在我国此项工作也列为六五、七五、八五的攻关项目。但是 为了满足日益提高的纯度要求,气体贮存容器的改进还是当务之急。
ABSTRACT Todaythemicroelectronicindustryhasstridden intoaGLSI-sub-μm-Epoch.Withrapidimprovementof chipintegrationandcontinuousdevelopmentofmanynew cVD processes,more andmorestrictreguirements tothe purityandtheconcentration stabilityoftheultra-purityelectronicgaseshavebeenset.
108 目录 2超高纯电子气中沾污的种类、危害性及其来源1 2超高纯电子气中沾污的总体防治策略 82国内外在钢瓶内壁处理方面所做的研究 2我们的选题及研究方案 第三章硅烷热解法表面硅化处理的基本原理 3硅烷CVD原理硅在钢中的扩散 气相硅化前的表面预处理工艺 4表面平整化处理的基本原理 4电化学抛光实验 4电化学抛光效果评价及影响因素分析 第五章表面硅化处理及样品测试 第六章硅化效果评价及其影响因素分析 6硅化效果的评价 6.