[模拟集成电子技术教程解题参考]

【模拟集成电子技术教程解题参考】.pdf浙江大学电子学教研室 1994年5月 前言 010/1734-11994 为配合《模拟集成电子技术教程》(浙江大学电子学教研室编,高等 1994年版)的发行和使用,我们组织编写了《解题参考》,作 编写《解题参考》是一种新的教学尝试,它要求读者处于完全自觉的 学习环境之中,通过自学、自练、自查和借鉴《解题参考》中的解题思路 和方法,迅速提高解题能力,并加深对教学内容的理解。为了检查教学效 《解题参考》的部分初稿是由《模拟集成电子技术教程》的各章编者 提供的,陈隆道老师在此基础上进行了全面、细致的整理、修改和补充,但限于时间和水平,对各题的解答方法和具体的答案仍难免会有欠妥之处 果,我第一章常用半导体器件 电子导电、空穴导电.金属导电、半导体导电.本征半导体导电、杂质半导体导 半导体共价键中的电子受共价键的束缚不能参加导电,能脱离共价键束缚的价电 子才为自由电子,价电子离开共价键后,在共价键中留下的空位称空穴。N型半导体 中,杂质原子在提供自由电子后即成为正离子,P型半导体中,当杂质原子接收邻近原子 通过自由电子传导电流的导电方式称电子导电,而通过空穴传导电流的导电方式 称空穴导电,在常温下,因金属导体内含有大量的自由电子,故有很好的传导电流的能 力、而半导体导电则是依靠自由电子和空穴二种载流子,其导电性能介于导体和绝缘体之 间.(Y)(v MA)(b)(mA)-I 同向串联时,其合成特性如图1(a)所示.反向串联时其合成特性如图(b)所 示.同向并联时,其合成特性如图(c)所示.反向并联时,其合成特性如图(d)所示图1 1当用万用表电阻档测量二极管2AP9正、反向电阻时[参见图1(b)1分析:设万用表内电池电压为1V,R×10Q档的内阻R为240Q.R×100Ω档的内 从概念上说明,为什么用不同电阻档测得的二极管正向电阻值相差悬殊？U+I,R,=U,+0I,=1V(0VmA;0V4.
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