【模拟集成电子技术教程解题参考】.pdf

浙江大学电子学教研室 1994年5月前言 010/1734-11994 为配合《模拟集成电子技术教程》(浙江大学电子学教研室编,高等 1994年版)的发行和使用,我们组织编写了《解题参考》,作编写《解题参考》是一种新的教学尝试,它要求读者处于完全自觉的学习环境之中,通过自学、自练、自查和借鉴《解题参考》中的解题思路和方法,迅速提高解题能力,并加深对教学内容的理解。为了检查教学效《解题参考》的部分初稿是由《模拟集成电子技术教程》的各章编者提供的,陈隆道老师在此基础上进行了全面、细致的整理、修改和补充,但限于时间和水平,对各题的解答方法和具体的答案仍难免会有欠妥之处果,我

第一章常用半导体器件电子导电、空穴导电.金属导电、半导体导电.本征半导体导电、杂质半导体导半导体共价键中的电子受共价键的束缚不能参加导电,能脱离共价键束缚的价电子才为自由电子,价电子离开共价键后,在共价键中留下的空位称空穴。N型半导体中,杂质原子在提供自由电子后即成为正离子,P型半导体中,当杂质原子接收邻近原子通过自由电子传导电流的导电方式称电子导电,而通过空穴传导电流的导电方式称空穴导电,在常温下,因金属导体内含有大量的自由电子,故有很好的传导电流的能力、而半导体导电则是依靠自由电子和空穴二种载流子,其导电性能介于导体和绝缘体之间.

(Y)(v MA)(b)(mA)-I 同向串联时,其合成特性如图1(a)所示.反向串联时其合成特性如图(b)所示.同向并联时,其合成特性如图(c)所示.反向并联时,其合成特性如图(d)所示图1 1当用万用表电阻档测量二极管2AP9正、反向电阻时[参见图1(b)1分析:设万用表内电池电压为1V,R×10Q档的内阻R为240Q.R×100Ω档的内从概念上说明,为什么用不同电阻档测得的二极管正向电阻值相差悬殊？U+I,R,=U,+0I,=1V(0VmA;0V4.