【半导体统计学】上海科学技术.pdf
黄启圣陈仲甘 湯定元校 半导体統計学 0459591 {美］J.S.勃克莫尔著
序言 在华导体材料上所观察到的許多效应,都部分地取决于各个 能带和能級中的电子和空穴的濃度,当然,载流子濃度是无法直 接测量的.能直接观測的量的大小,除掉依賴于载流子濃度外,常 牵涉到载流子的其他属性(例如,电导率依賴于电子的濃度及其定 移率)最近出版了-些书103,259,311,比尽地讨载流子濃 度和輸运过程之問的关系,本书的主要内容就是这一课题的补充,本书分为两部分,前三章为第工部分,先是固体电子的引 论,然后讨处于热平衡的半导体中的载流子統計学.当然,如有 地流通过固体,这一固体就不会处于員正的热力学平衡.
4目录 第I部分处于热平衡的半导体 几种具有代表性的半导体的能带形状.各种形态的杂质中心(缺陷)自由电子密度和费密能殺的相互关系 2本征情况下和非本征情况下的乘积p和 第II部分含有过剩载流子的半导体 1.固体电子理的基本概念 1金属电导的經典理 量子統计学和自由电子理 固体的能带理 藏流子的有效质量 2.费密能一电子密度的平衡 费密-狄喇克积分 2本征导体 2流子密度的空开涨落 3.