[半导体物理基础]·科学社版

【半导体物理基础】科学.pdf703252 半导体物理基础 黄昆韩汝琦著黄昆韩汝琦 言 近年来,半导体科学技术在许多方面都有了深入的发展,并逐渐形成了若干分支,虽然各分支之间有共同的半导体物 理基础,但是各自的侧重点和具体要求很不相同.本书主要 讲述与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物 理基础。第一、二章介绍半导体的一般原理,但内容着重于硅 平面器件,对一些微观理论只作浅显的介绍,在第三、四章 中对PN结和半导体表面的物理原理以较大篇幅进行了较具 体深人的分析,第五章尽量结合半导体实际,介绍有关晶体 在本书编写过程中,许多工厂、科研单位和高等学校的同 志热情地向我们介绍经验,提供资料,并对写法提出宝贵建 议。1 1 5录目 电导率和电阻率 测量电阻率的四探针方法 扩散薄层的方块电阻 多子和少子的热平衡 电子的平衡统计分布规律 非平衡载流子的复合 第六节非平衡载流子的扩散 PN结的电流-电压关系 空间电荷区中的复合和产生电流 晶体管的电流放大作用 高掺杂的半导体和PN结 PN结的击穿.第一章掺杂半导体的导电性 掺杂和载流子 迁移率 第一节量子态和能级 费米能级 第六节PN结的电容效应 第七节金属-半导体接触 序言 第一节 第二节 第三节 第四节
———— 文字由OCR识别(未校验)，可能存在错字；请以原始完整版为准。