【硅可控整流元件译文集】科学.pdf

毛主席语录中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,赶上和超过世界先进水平.我们不能走世界各国技术发展的老路,跟在别人后面一步一步地爬行。我們必须打破常,尽量采用先进技术,在一个不太长的历史时期内,把我国建設成为一个社会主义的現代化的强国。

目录前言制造硅半导体器件中扩散技术的改进.半导体可控整流元件.硅表面处理方法半导体元件表面处理方法半导体元件表面处理方法.半导体元件表面处理方法台面式高压硅可控整流元件控制极短路型硅可控整流元件的分析.不易烧毁的硅可控整流元件硅可控整流元件的di/dt容量.硅可控整流元件的电流电压特性.具有可控雪崩的TJI-2系列大功率硅可控整流元件用于高频的硅可控整流元件.硅的闭管扩散技术.

制造硅半导体器件中扩散技术的改进本文叙述硅半导体器件的制造工艺,其中至少有-个p-n 结是用扩散技术制成,扩散温度约为1200℃.用已知的扩散工艺制造具有一个P-n结硅半导体器件时,如型硅,可以观察到扩散前少数载流子寿命为1000微秒,扩散后有显著的变化,约在0一5微秒之间,而且其扩散p-n结的反向特性在软特性和硬特性之间有很大的不同.例如,大量生产硅半导体器件时,用同种工艺制得扩散p-n 结,其反向特性大不相同,如下图所示.横座标为反向电压,纵座标为反向电流,反向特性2为软特性,在硬特性1和非常软的特性3之间.