【半导体材料的进展】北京科学教育.pdf
1.目录 第一章金属間化合物与固溶体 S1理概迹 S2V族化合物 S3固溶体 第二章硫化物、晒化物、碲化物 51硫化 S2晒化 S3硫化 化 S5确化 三元化合物 S1三元化合物的制备 52ABuXV型化合物的性质 S3ABVXVI型化合物的性質 S4ABX型化合物的性质 S1概.
406060100(b)Pb 子比 C成份的化合物开始凝固出来,到达熔融(F点)时,所有的A原子都可以抓到足够 的B原子而以成份C凝固。剩余的A原子就被分离出来。因此在固态中产生了两相:一 是成份C,另一相是A。在所有的合金平衡圆中C的成份应当遵守广义的道尔定律,就是A与B的比例是簡单的整数比,如象1/2,1/3或者特别较复杂的鉴数比,如 9/4,21/5,31/8。这些是在普通的無机化学中没有的比数。如果不以熔化温度成份或分 凝温度作为座标,而以另一性質表示时,象以室温下的硬度,抗化学腐仙或电阻率等 性質表示时,则所得的曲仍然在C成份有一峰或者谷,因为C相的性贺是与它的粗成 部分A,B
1-2 SnGn2°A InSb2°A GoSn2°A GaSb2*A InAs2°A 子的迁移率增加,如InS在室温时,电子的迁移率已有100000屋米2/伏秒的記戴数据.从表1一2中使我們可明显地看到上的规律。其中AIS(2A°)与InP(2A°)比二者之間的Ge(2A°)大些,这可与它們的子牛径相差最大的情形联系。但是 在InP的结晶构造中还有不少的整流性能,反向电压达20伏,并且还有放大作用.离子景近距高 CeG2A GaA92.