【半导体工艺资料半导体器件制造中的光刻技术】天津市科学技术局革委会情报组天津.pdf

毛主席语录 Bgg 我們也要搞人造卫星.人的正确思想是从那里来的?是 从天上掉下来的嘱?不是。是自已头 脑里固有的嘱?不是。人的正确思 想,只能从社会实践中来,只能从社 会的生产斗争、阶級斗争和科学实 这三项实践中来.中国人民有志气,有能力,一定 要在不远的将来,赶上和超过世界先 进水平。
内 容 一、概述二、光致抗触剂S2一1感光硬化机构S2一2感光性S2一3抗触剂的其它性能2一4抗触剂的种类S2一5光刻胶的配比三、光刻胶的涂敷.S3一1光刻胶与二氧化硅及其它金丽的粘附.S3一2涂敷的方法3一3光刻胶膜层的厚度S3一4光刻胶的过滤.四、光刻胶的干燥、曝光、显影、坚膜S4一1光刻胶的干燥S4一2曝光S4一3显影.
一、述 光刻技术是半导体处理技术中极为重要的一种技术,它是 照相和化学腐触相結合的一种粽合技术,由涂敷光致抗触剂、干燥、曝光、显影、坚膜、腐以及去胶等工艺組成。它的基 本原理是利用一种具有光敏性和抗性的高分子化合物(光致 抗剂、简称光刻胶)涂敷在硅材料的表面氧化层或金属的表 面上,使形成一均匀的薄膜层(豹几千埃),在光刻掩模的掩 蔽下,利用紫外灯曝光,使抗触剂受光部分产生交键,不被有 机溶剂溶解,未曝光部分被溶剂溶解除去。經过烘干坚膜后,受光部分的抗触剂能經受各种腐触剂的腐触而在硅片或金属上 得到所需的氧化膜图形或金图形。 