【半导体工艺资料半导体器件制造中的扩散技术】天津市科学技术局革委会情报组天津.pdf

毛主席語录我们也要搞人造卫星.人的正确思想是从那里来的？是从天上掉下来的嘱？不是。是自已头脑里固有的嘱？不是。人的正确思想,只能从社会实践中来,只能从社会的生产斗争、阶級斗争和科学实这三项实践中来.中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,赶上和超过世界先进水平。

内容第一章序言第二章氧化 S2-1二氧化硅的主要用途.S2-2形成二氧化硅的主要方法-3各种氧化方法的优缺点S2-4二氧化硅的主要物理化学性质S2-5二氧化硅的质量检驗S2-6平面管制造中的氧化方法的典型工艺.第三章扩散 S3-1扩散的基本物理意义及其数学表式.S3-1-1扩散理的基本数学表式S3-1-2有关扩散的几个参数的数学表式及其物理意义S3-2扩散的基本方法及其部价S3-3硼扩散.

第二章氧化 S2-1二氧化硅的主要用途从1957年发現二氧化硅对某些元素杂质(硼、磷等)有扩散掩薇作用以来,已成为平面工艺的基础工艺之一,得到了广泛的应用.二氧化硅的另一用途是对器件表面有保护化作用,使器件的电学性能,特别是稳定性和可靠性有了很大的提高。二氧化硅的第三个用途是能起电緣作用,如普通晶体管的电极隔离和集成电路的介质隔离技术,就是基于这一点而实現的。二氧化硅的第四个用途是起电介质的作用,并且构成器件的一部分,如金属一-氧化物一半导体場效晶体管(MOSFET)等的栅与源、漏間的层就是由它来形成的.S2-2形成二氧化硅的主要方法 1.