【半导体工艺资料半导体器件制造中的扩散技术】天津市科学技术局革委会情报组天津.pdf

毛主席語录我們也要搞人造卫星.人的正确思想是从那里来的？是从天上掉下来的嘴？不是。是自己头脑里固有的嘱？不是。人的正确思想,只能从社会实践中来,只能从社会的生产斗争、阶級斗争和科学实这三实践中来.中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,赶上和超过世界先进水平。

内東容第一章总述.S1-1概述S1-2硅单晶的切割現状第二章硅单晶的研磨S2-1研磨工艺S2-2研磨中的間題.第三章硅片的抛光S3-1氧化镁机械抛光.S3-2氧化镁机械抛光中的几个周題S3-3气相抛光是机械抛光的补充S3-4硅片的化学机械抛光S3-4-1物理化学过程S3-4-2化学机械抛光工艺S3-4-3化学机械抛光结果S3-4-4現存問题題

少材料和工时的无損耗。因此,可以断定,在目前,提出这种要求既符合客观实际,又贯彻了勤俭建国的方針.S1-2硅单晶的切割現状通常作正外延用的重掺杂N+型硅单晶是用直拉法使高純度多晶硅变成为单晶硅。通常用作掺杂剂的。电阻率在3 -9×10-欧姆-厘米的范围。器件生产不希望用磷作掺杂剂,P型硅常用杂质硼作掺杂剂.单晶体内在物理性能对抛光直至外延制管都有重大影响,近来,硅外延平面晶体管生产表明,复拉单晶作为衬底的外延片不如一次拉单晶作为衬底的外延片的质量好。因此,加强并題.内园切割机广泛地用作切割单晶,用它切出各种形状和规格的片子。