[半导体工艺资料半导体器件制造中的扩散技术]天津市科学技术局革委会情报组天津

【半导体工艺资料半导体器件制造中的扩散技术】天津市科学技术局革委会情报组天津.pdf毛主席語录 我們也要搞人造卫星.人的正确思想是从那里来的？是 从天上掉下来的嘴？不是。是自己头 脑里固有的嘱？不是。人的正确思 想,只能从社会实践中来,只能从社 会的生产斗争、阶級斗争和科学实 这三实践中来.中国人民有志气,有能力,一定 要在不远的将来,赶上和超过世界先 进水平。内 東容 第一章总述.S1-1概述S1-2硅单晶的切割現状第二章硅单晶的研磨S2-1研磨工艺S2-2研磨中的間題.第三章硅片的抛光S3-1氧化镁机械抛光.S3-2氧化镁机械抛光中的几个周題S3-3气相抛光是机械抛光的补充S3-4硅片的化学机械抛光S3-4-1物理化学过程S3-4-2化学机械抛光工艺S3-4-3化学机械抛光结果S3-4-4現存問题題少材料和工时的无損耗。因此,可以断定,在目前,提出这 种要求既符合客观实际,又贯彻了勤俭建国的方針.S1-2硅单晶的切割現状 通常作正外延用的重掺杂N+型硅单晶是用直拉法使高純 度多晶硅变成为单晶硅。通常用作掺杂剂的。电阻率在3 -9×10-欧姆-厘米的范围。器件生产不希望用磷作掺杂剂,P型硅常用杂质硼作掺杂剂.单晶体内在物理性能对抛光直至外延制管都有重大影响,近来,硅外延平面晶体管生产表明,复拉单晶作为衬底的外延 片不如一次拉单晶作为衬底的外延片的质量好。因此,加强并 題.内园切割机广泛地用作切割单晶,用它切出各种形状和规 格的片子。
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