[硅稳压管]·上海科技社版

【硅稳压管】上海科学技术.pdf自动化丛书 硅稳压管 苏联 I.M.维杰涅夫B.E.维尔申著 汤德正吴培根校原序 近十年来,半导体器件(其中包括硅稳压管)使用很广.硅稳压管和所有的半导体器件一样,有重量輕、体积小的特 点。硅稳压管的伏安特性与辉光放电稳压管的伏安特性相 似,但没有象辉光放电稳压管所特有的起辉电压.硅稳压管出現之后,就解决了半导体管綫路所需的稳定 的低压电源問题,然而硅稳压管的使用范圍不局限于此。根 据硅稳压管伏安特性的特点,可以把硅稳压管用于各种不同 的綫路.在各国的文献中,除了到用硅稳压管作稳压器外,很少 提到硅稳压管的其他用途。本书旨在补充上述不足,当然,作 者决不认为本书所述的路已經圆满地解决了使用硅稳压管 的技术問题。第章 硅稳压管的一般性能 及技术特性 1.硅稳压管的作用原理 半导体二极管在室温时的伏安特性为 Ix=In(e40U-1)式中 Ix—-流經二极管的电流.U 二极管上的电压.I 二极管的和电流,其值取决于半导体材料的 物理性质.e一自然对数的底,等于2.上式与图1a所示的半导体二极管的伏安特性相对应.实际上,当加在二极管上的正向电压U超过0伏时,式 中的1与指数项相比可略而不計,可认为 I=In.npIne40Ux(1a) 如果在二极管上加反向电压,那末,指数项的乘幂就变为 負值。当电压U的对值大于0.
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