【硅稳压管】上海科学技术.pdf

自动化丛书硅稳压管苏联 I.M.维杰涅夫B.E.维尔申著汤德正吴培根校

原序近十年来,半导体器件(其中包括硅稳压管)使用很广.硅稳压管和所有的半导体器件一样,有重量輕、体积小的特点。硅稳压管的伏安特性与辉光放电稳压管的伏安特性相似,但没有象辉光放电稳压管所特有的起辉电压.硅稳压管出現之后,就解决了半导体管綫路所需的稳定的低压电源問题,然而硅稳压管的使用范圍不局限于此。根据硅稳压管伏安特性的特点,可以把硅稳压管用于各种不同的綫路.在各国的文献中,除了到用硅稳压管作稳压器外,很少提到硅稳压管的其他用途。本书旨在补充上述不足,当然,作者决不认为本书所述的路已經圆满地解决了使用硅稳压管的技术問题。

第章硅稳压管的一般性能及技术特性 1.硅稳压管的作用原理半导体二极管在室温时的伏安特性为 Ix=In(e40U-1)式中 Ix—-流經二极管的电流.U 二极管上的电压.I 二极管的和电流,其值取决于半导体材料的物理性质.e一自然对数的底,等于2.上式与图1a所示的半导体二极管的伏安特性相对应.实际上,当加在二极管上的正向电压U超过0伏时,式中的1与指数项相比可略而不計,可认为 I=In.npIne40Ux(1a) 如果在二极管上加反向电压,那末,指数项的乘幂就变为負值。当电压U的对值大于0.