【平面晶体管】上海科学技术编译馆上海.pdf

伴野正美等.J.C.Henderson等 G.Bradshaw等田中利维布施昇安福英民T.C.Hellmers 等 J.J.Murray等 E.Rudge等.傅田精一.手岛宽郎 F.Barson等 E.L.William R.B.Allen等 J.W.Baker H.G.Bassett等日本专利日本专利日本专利录目 1.硅平面晶体管及其应用 2.硅平面晶体管的設計和工艺 3.

件基区部分的扩散都是选地进行的。这样做成的秸构,作为用二氧化硅对集电极基极結的表面露出部分进行覆盖,也是合适的。用于基极扩散的杂质,在氧化硅层中必须是不能进行扩散的。故一般情况使用硼(二氧化硅膜内的扩散系数是随杂质不同而有很大的不同。硼、磷等,由于它們在二氧化硅中扩散系数非常小,所以可以由二氧化硅来掩蔽)在台式晶体管中常用的,因其能通过氧化层进行在基极的表面上,为了在扩散时,同时生成一层坚固的氧化层,通常是在所沉积的预备扩散之后,进行主扩散。在预备扩散的过程中,是把杂质(硼)在被除掉硅氧化层的表面上进行高濃度地扩散。

225C 0512510203040506070909589995 纵轴数值以下的器件数的百分率图6平面品体管的IcBo和噪声系数分布(器件数各50个)表面漏电流极小,故Icpo几乎为由pn结的性质所决定的体内反向电流,因此IcBo的值就非常地小.小电流的电流放大率大晶体管的电流放大率在小集电极电流时较小,但随着电流的增加而急剧地增大,直到增大到某一电流值以后,电流再增加而电流放大率却相反慢地下降。可是对平面晶体管,即使在小电流也具有所谓大的电流放大率的特征。