[国外高压大功率半导体元件]上海科学技术情报研究所上海

【国外高压大功率半导体元件】上海科学技术情报研究所上海.pdf毛主席部录 从自己经验中考证这些结论,吸收那些用得 着的东西,拒绝那些用不着的东西,增加那些自己所特 学习和认识的对象,包括敌我两方面,这两方面都 应该看成研究的对象,只有我们的头脑(思想)才是研 中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,独立自主、自力更生.古为今用,洋为中用.赶上和超过世界先进水平.有的东西.究的主体。目录 日本高压大功率半导体元件研制技术进展动态 高压半导体元体的一种优良边缘外形 高压可控硅边缘外形的改进 高压器件中P-n结斜表面附近的电场分布 具有负斜角的pn结表面附近的电场 可控硅的表面电场强度 高阻断电压可控硅的设计 台面式高压可控硅 具有厚内层结构的可控硅开通的可能性 高压可控硅的一种新边缘外形 双正斜角法高压可控硅 改1:达到了较大的电流容量。随着这些大功率 硅器件电压的提高,中功率硅器件的电压水 一九七.年度日本发表的主要产品如 日立G01型(400A-10000V).东芝800FXD22(S00A-3000V),500HXD22(500A-5000V), 300FXD11(300A-3000V), 25FXF11(25A-3000V), 12FXF11(12A-3000V)2.富士SIN03(300A-4000V),KSP03(800A-3000V),KX-06(700A-6000V); 三菱FD1000B-120(800A-6000V)。
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