【国外高压大功率半导体元件】上海科学技术情报研究所上海.pdf

毛主席部录从自己经验中考证这些结论,吸收那些用得着的东西,拒绝那些用不着的东西,增加那些自己所特学习和认识的对象,包括敌我两方面,这两方面都应该看成研究的对象,只有我们的头脑(思想)才是研中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,独立自主、自力更生.古为今用,洋为中用.赶上和超过世界先进水平.有的东西.究的主体。

目录日本高压大功率半导体元件研制技术进展动态高压半导体元体的一种优良边缘外形高压可控硅边缘外形的改进高压器件中P-n结斜表面附近的电场分布具有负斜角的pn结表面附近的电场可控硅的表面电场强度高阻断电压可控硅的设计台面式高压可控硅具有厚内层结构的可控硅开通的可能性高压可控硅的一种新边缘外形双正斜角法高压可控硅改

1:达到了较大的电流容量。随着这些大功率硅器件电压的提高,中功率硅器件的电压水一九七.年度日本发表的主要产品如日立G01型(400A-10000V).东芝800FXD22(S00A-3000V),500HXD22(500A-5000V), 300FXD11(300A-3000V), 25FXF11(25A-3000V), 12FXF11(12A-3000V)2.富士SIN03(300A-4000V),KSP03(800A-3000V),KX-06(700A-6000V); 三菱FD1000B-120(800A-6000V)。