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- 专题
- 半导体器件平面工艺光刻
- 类别
- 其他资料
- 页数
- 80页
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- 6.24MB
【半导体器件平面工艺光刻】.pdf毛主席语录 中国人民有志气,有 能力,一定要在不远的将 来,赶上和超过世界先进 水平.打破洋框框,走自己 工业发展道路。《半导体器件平面工艺》 光 上海无线电十七厂 上海人民欣社出版(上海貂兴路5号) 书号:154194.目录 第一章概述 1-1 1光刻技术概况 1.-2 光刻工艺过程 第二章 光致抗蚀剂 2-1 光致抗蚀剂的性能.2-2 光致抗蚀剂的配制 8-7 光致抗蚀剂的种类 第三章 硅片表面清洁处理3-1 硅片表面清洁处理的目的 3-2 硅片表面清洁处理的方法第四章 涂敷感光胶4-1 涂胶的方法和设备改进涂胶效果的几种措施第五章 抗蚀剂膜的干燥(前烘)第六章 曝光 6-1 曝光工艺过程6-2 光致抗蚀剂的分辨率 6-3 影响分辨率的几种因素
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