【体效应半导体器件】科学.pdf

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体效应半导体器件 片冈照荣 馆野博 钟治澄魏任民译 [日)译者的话 自从1963年利用砷化的体效应制成耿振荡器以来,特 别是1966年制成LSA(限制空间电荷积累)器件以来,体效应 半导体器件在无线电微波技术领域中受到了很大的重视,并 相继进行了大量的研究,因此无论在理论上、材料制造上、器 件工艺上,还是在微波量测技术上,都取得了比较明显的进 体效应半导体器件能以几十干兆赫甚至上百干兆赫的极 高频率工作,并有可能大大地超过当前利用结型半导体器件 所能达到的工作频率。其输出功率也是引人注目的,例如,LSA模式工作的体效应器件,理论上在10千兆赫下输出功率 可达400千瓦,此外与微波电真空器件相比,体效应半导体 体效应半导体器件不仅可以用来进行微波振荡小信号理论的适用范围一维二端小信号阻抗 4小信号导纳的频率特性 4用电介质抑制畴效应的理论 4厚度对电流振荡的影响 4介质表面负荷器件的特性 5纯粹的渡越时间模式偶极畴猝灭模式.5延迟偶极畴模式 5空间电荷积累层模式 5.