【微波半导体器件基本原理】.pdf

微波半导体器件基本原理詹励宾编國防工草品版社

目录引言 2变容二极管P-n结的电容 2p-n结的势垒 2外加偏压时势垒的变化 2p-n结的电容 2各种杂质分布的p-n结势垒电容/6 2突变结的势垒电容 2线性级变结的势垒电容 2杂质分布为N=Bx的势垒电容 2变容二极管 2参放变容二极管2调谐变容二极管阶跃恢复二极管 2参放变容二极管的主要参数 2变容二极管发展水平 3雪崩二极管.*3 3雪崩二极管产生微波振荡的基本原理 3里德二极管 3 载流子在强电场作用下的饱和漂移速度 3.

1引言近几年来,各种雷达、导航设备、全球通信系统、电子对抗设备、遥测系统、导弹制导设备、微波通信系统等等,得到了迅速的发展,在现代军事电子学设备中,占有极为重要的地位。使这些微波整机固体化是提高其战术和技术性能的一个有效途径。由于这一要求便推动了固休(半导体)微波器件的发展,而固体微波器件的发展又带来了微波整机由部分固体化发展到全固体化,以至如今出现了全集成化的整机.近几年来,单个半导体器件总的发展趋势是向着高频率、大功率、高效率和低噪声的方向发展。目前在微波领域中已经出现了好多种微波半导体二极管。本书就准备对这些微波二极管的基本原理作一个粗略的介绍.微波.