[微波半导体器件基本原理]

【微波半导体器件基本原理】.pdf微波半导体器件 基本原理 詹励宾编 國防工草品版社目录 引言 2变容二极管P-n结的电容 2p-n结的势垒 2外加偏压时势垒的变化 2p-n结的电容 2各种杂质分布的p-n结势垒电容/6 2突变结的势垒电容 2线性级变结的势垒电容 2杂质分布为N=Bx的势垒电容 2变容二极管 2参放变容二极管2调谐变容二极管阶跃恢复二极管 2参放变容二极管的主要参数 2变容二极管发展水平 3雪崩二极管.*3 3雪崩二极管产生微波振荡的基本原理 3里德二极管 3 载流子在强电场作用下的饱和漂移速度 3.1引言 近几年来,各种雷达、导航设备、全球通信系统、电子 对抗设备、遥测系统、导弹制导设备、微波通信系统等等,得到了迅速的发展,在现代军事电子学设备中,占有极为重 要的地位。使这些微波整机固体化是提高其战术和技术性能 的一个有效途径。由于这一要求便推动了固休(半导体)微 波器件的发展,而固体微波器件的发展又带来了微波整机由 部分固体化发展到全固体化,以至如今出现了全集成化的 整机.近几年来,单个半导体器件总的发展趋势是向着高频率、大功率、高效率和低噪声的方向发展。目前在微波领域中已 经出现了好多种微波半导体二极管。本书就准备对这些微波 二极管的基本原理作一个粗略的介绍.微波.
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