【国外硅材料质量进展译文集】上海科学技术情报研究所上海.pdf

C43221 前言在毛主席“独力自主、自立更生”方针指引下,社会主义新生事物的烂缦山花处处争艳.在以华主席为首的党中央一举粉碎王洪文、张春桥、江青、姚文元“四人帮”篡党夺权阴谋所取得的伟大胜利凯歌声中,我国半导体材料战线生产和科研形势一派大好。自一九七二年全国硅材料提高质量交流会议之后,全国各地对硅材料内在质量的认识又有新飞跃,当前正以豪迈的步伐向控制硅材料内在质量的自由王国进军。硅材料生产的大好局面,雄辩地说明“无产阶级文化大革命是使我国社会生产力发展的一个强大的推动力”这个真理。

半导体晶体制备时点缺陷的引入机理 Erhard Sirtl 美国道-康宁公司《Semiconductor Silicon 1973>,Eoward R.Huff and Ronald R.Burgess,The Electrochemiealcciety,INC.,Princeton,NewJersey(p.178)对硅基体中点缺陷的分市来说,在宏观、微观和原子范围内平衡态的建立是主要的推动力。在原子基础上的运当能动力学模型,极大地促进了对品体生长时的引入现象及对由辩文或退火所产生的聚集效应的了解。强调了硅的工艺。

固过程中,掺杂材料在晶体中分布的最终精细结构,绝大部分被晶体在一个不均匀热场中(很难避免)旋转时所产生的粗糙条纹图案所重选.当温度波动到达它的最高值时,结晶速度降低了,甚至在某种程度上结晶再熔解了,达到接近真正的平衡条件很短暂。其后由于扩散的限制,在生长前沿的迅速推进中,外来原子所增加的干扰将不再沿着液相的移动而传播,它将在非平衡条件下引入到固体中。这个理论也可以用于不能与其它晶格缺陷相互作用的空位的情况下(如无位错晶体中),并导致在空位过饱和区域生成空位团。Mihlbauer研究了不同的替代式点缺陷的波动强度,如所预期的那样,发现点缺陷的波动振幅随数值的减小而增加(图7)。