【国外半导体电子束曝光离子注入技术动向】上海科学技术情报研究所上海.pdf

毛主席器录中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,赶上和超过世界先进水平.外国有的,我们要有,外国没有的,我们也要有.洋为中用.对于外国文化,排外主义的方针是错误的,应当尽量吸收进步的外国文化,以为发展中国新文化的借镜.盲目搬用的方针也是错误的,应当以中国人民的实际需要为基础,批判地吸收外国文化。

电子束曝光技术虽有许多优点,但也受到一定的物理现象(诸如透镜象差、横向热速度等)的限制,影响最高分辨率的获得。同时电子束曝光的装备庞大、成本高、操作繁复,以及电致抗蚀剂的灵敏度、分辨率和装置电源的不稳定性都会影响电子束曝光水平的进一步提高。因此,近年来国外电子束曝光技术虽取得一定进展,有些厂商制造的电子束曝光装置已进入了市场,采用电子束曝光装置也试制了一批高性能的半导体器件,但从总的来说,目前国外电子束曝光技术还停留在试验研究阶段,电子束曝光装置还没得到广泛实用。而要使电子束曝光装进一步实用,应用于生产,看来从技术上尚需解决以下一些问题:进一步提高电子束曝光的分辨率。

“面曝光”法和普通光学曝光法的比较电子束成像投影装置光学曝光装置分率 0微米 1.2微米对准和曝光时间/每片硅片 15秒 2分钟每年完成曝光次数/台 1日万次 12万5千次模命无限长光20次成本比例 5 法。它由电磁场把电子束聚焦成很细的束斑,在涂有电致抗蚀剂的硅片上进行扫描曝光,这种曝光方法大多数由数字信号来控制运动的聚焦电子束,使在选定的地点曝光出所需的图(ww) 一栅帽最小截面电子枪阳极品极孔径20毫米第一级透镜间距10毫米安座数2500 八个极轴调整去像散器对准线圈30安去像散器线圈30安第二级透镜 =Q003 安题数18