[半导体资料]

【半导体资料】.pdf毛主席语录 自然科学是人們争取自由的一种武 装。人們为看要在社会上得到自由,就要 用社会科学来了解社会,改造社会进行社 会革命。人們为着要在自然界里得到自 由,就要用自然科学来了解自然,克服自 中国人民有志气,有能力,一定要在 不远的将来,赶上和超过世界先进水平.自力更生,艰苦奋斗,破除迷信,解 然和改造自然,从自然里得到自由.放思想。6i 目录 四、以SiO作为介贺的MOS或MOMI电容器单位面积电容 第一章硅的物理性 一、硅的重要性質 二、硅的本征載流子浓度 三、硅中流子的迁移率 四、硅中的杂質能级 五、直流四探針法测量电阻率 六、深的測量 七、氧化层厚度的測量 八、层錯和位錯的腐触与測量 九、电阻率与杂質浓度的关系 一、各种杂贺在硅中的扩散系数 二、扩散层的杂贸分布 三、扩散秸深x.Si 1 硅4x1022 金刚石型 5 2 1415℃ 2480℃2:2(X衍射計算值)0 0 2×10-.10 氩气氛下720:氢气氛下86011×1010 2×10s.250℃ 硅的物理性质 一、储硅的重要性質[2] Ge4×1022 金刚石型 5 2 958° 2700°℃5 0 0 5×10- 8 502.
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