【半导体表面钝化专题文摘】科学技术文献重庆分社重庆.pdf
目录 一、述评和文献目录(1 二、钝化三、钝化机理四、制备方法1.化学汽相淀积(CVD)2.热氧化3.溅射和蒸发 eeeee5.阳极氧化5.磷硅玻璃6.其他方法五、特性1.电学性质.表面态3.界面性质4.辐射效应5.C-V和I-V特性6.其它性质六、测1.电参数结构和缺陷.厚度4.沾污和杂质5.
离子、结构缺陷以及杂质而发生变化。特别 度、硬度、应力随淀积条件的变化。用SisN 重要的情况是与另一种固相物质例如氧化层 作钝化是利用它阻止原子和离子护散以及 直接接触而形成的界面。因此,实际观察到 它的电学性质。SiN可用来阻挡离子沾污.的表面态的数目,比由理论预见的理想表面 在场效应管中,它构成绝缘栅的一部份。在 情况小几个数量级。理想表面的表面态数与 光电子器件中,它用作砷化中锌的扩散拖 表面原子数的数量级相当。通常将有关表面 模。SigN的优点是它对许多物质起阻止扩 未成键的电子弥为“悬挂键”。
化硅薄膜又经受大的畸变而充满高密度陷 Cep.:1973,4,3-7 阱,造成氮化硅薄膜电导率增加。在氢中退 火可减小快表面态和改善不稳定性。用消除 0016用于硅器件的耐磨厚保护层一IBM SiO-Si界面和氮化硅体内的陷阱解释了这 Tech,Disclosure Bull.,1976,18, 些现象。(高维善)12,4008 0011用热氧化方法钝化高击穿电压的p-n 0017HC1在MOS结构钝化中的作用-p结构-J.Electrochem.Soc.,Thin Solid Films,1972,13,1,1976,123,4,515-518 11-14 分别对1和2.