【国外砷化镓晶体生长技术的发展】上海科学技术情报研究所上海.pdf

毛主席语录中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,赶上和超过世界先进水平.自力更生,艰苦奋斗,破除迷信,解放思想.鼓足干劲,力争上游,多快好省地建设社会主义。

引言 ITI-V族化合物半导体是继锗、硅之后较有发展前途的半导体材料,它们具有锗、硅元素半导体材料所没有的或不及的优良性质:迁移率大,因此可用作高速、高频器件.禁带宽度大,因此可用作高温、大功率器件.能带结构是直接跃迁型,因此转换成光的效率高,可作半导体激光器和发光二极管等.显示负性电导率,因此可在高频领域内用作振荡放大等。由于ⅡI-V族化合物半导体材料具有上述优良性质,因此国外较重视这方面的研究发展工作,特别是砷化(GaAs)发展较快,并已应用于制作许多极为重要的半导体器件,取得一定的进展:GaAs场效应晶体管1970年IBM公司制成截止频率f大

功率为600毫瓦,效率为15 .在9千兆赫下输出功率为300毫瓦,效率为15 .在12 千兆赫下最大的输出功率为1瓦,效率为19。此外,现在GaAs-IMPATT二极管向低噪声水平发展,P.A.Levine介绍的一种改进的GaAs-IMPATT二极管显示良好的噪声性能,并在高功率应用中可以与转移电子二极管相竞争20。预计在最近3.5年内 GaAs-IMPATT二极管在X波段将产生10瓦连续波,效率超过20 .GaAs发光二极管近年来国外发展较快,已处于实用化阶段。GaAs红外发光二极管,其能峰是13.