[碳化硅高温半导体二物理化学晶体结构与晶面形貌]·上海科技社版

【碳化硅高温半导体二物理化学晶体结构与晶面形貌】上海科学技术.pdf碳化硅高温半导体(二) 物理化学、晶体结构与晶面形貌 J.斯梅眷斯等著 珥石一1一 者序 碳化硅是一种既耐高温叉抗幅射的半导体材料。它在軍用航空电子学发展方 面所占的重要地位已經受到密切注意。1959年4月間举行的国际碳化硅会曦反映 了当时资本主义各国在碳化硅的各个领域的研究成果。从半导体材料的角度看 来,我們首先感到兴趣的是碳化硅单品体的制备方法。因为这是当前迫切需要的,因此,我們會經以会论文集(SiliconOarbide,AHighTemperatureSemicon-ductor,Proceedings of the Conference on Silicon Carbide,Boston,Mass.Apr.23 目录 2.应用质譜仪进行硅-碳二元系的热力学研究(J.Drowart,G.DeMaria)3.硅-碳系統中的溶解度与相組成的研究(LI.C.BpoxnH,B.Φ.ΦyRe)4.Si-O与Ge-O系统的相图(R.I.Scace,G.A.Slack) 5.碳-硅-三元系的探讨(W.V.Wright,Jr.FrederickT.C.Bartels)33 6.碳化硅的中子活化分析(L.F.Lowe,H.D.Thompson,J.P.Cali)7.
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