[碳化硅高温半导体一碳化硅单晶体的生长]·上海科技社版

【碳化硅高温半导体一碳化硅单晶体的生长】上海科学技术.pdf碳化硅高温半导体(一) 碳化硅单晶体的生长 [荷]J.A.列 来等 珥石 图书徽图书能 者序 近数年来,由于新技术,特别是軍用航空电子学的发展,对耐辐射的高温半导 体的需要日盆增加。在这种情况下,碳化硅由于具备特有的大的禁带寬度,受到 了越来越多的重觀。根据公开发表的资料,荷兰非力浦研究室的Lely首先 在实驗室内用升华法制备成功杂质的数量和种类可以加以控制的、具有足够尺寸 的碳化硅单品。其后,美国西屋研究室的Chang和Kroko以及Hamilton 采用改进了的Lely法,也制得了具有半导体质量的碳化硅单晶。最近,关 于生长型碳化硅p-n结的制备問题在这两个研究室中也获得了解决。目录 1.碳化硅单晶的制备及杂质的种类和数量的控制(J.A.Iely)2.六方碳化硅品体的制备(D.R.Hamilton)3.純碳化硅的制备和性质(D.R.Hamilton)碳化硅及其在高温整流管中的应用(H.Ohang)5.蒸汽法生成碳化硅品体(A.H.Smith)6.碳化硅晶的形成(A.H.Smith)7.碳化硅晶种上的外延生长和单品生长(K.M.Hergenrother,S.E.Mayor,A.I.Mlavsky) 8.碳化硅晶体的生长过程(M.B,KaMeuteB)9.气体裂化法生长碳化硅品体(J.T.
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