【半导体的受激光发射】上海科学技术.pdf

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前言 我們根据国外近期期刊选了“半导体的受激光发射”方面的文献共37。其中由于半 导体中受激光发射现象的研究在最近两年才开展起来,不少研究成果在初期只能以研究通訊 的形式发表,因此,本辑所载大部分是研究通訊.本辑第一、二两,是在实上发现半导体的受激光发射现象前的有关理研究.第三、四、五三,是世界上最早宣布观察到半导体中受激光发射现象的原始文献,三篇差不多同时 报导了半导体砷化p-n结加上正向偏压后出现的受激光发射现象.第六至第二十九篇,研 究对象是牛导体伸化家p-结,是1962年11月后陆额发表的实验性和理性研究的文,排 实物照片.1.半导体的受激光发射条件?Maurice G.A.Bernard,GeorgesDuraffourg 近来发表了很多文章时受激光发射器,但 就是 大多数只考虑局部化能毅之間的受激发射。已熟 exp(F-F)/kT>exp[E(k)-E(k)]/kT 知的由受激发射辐射而获得电磁波放大的必要条件,就是在跃迁中两个局部化能殺之間的所“粒子,因为 数反轉”。但是,195S年P.Aigrain②指出,在发射 E(k)-E(b)=hv 两个波色子的情况这个条件就不必要了,这时一个 以上条件简化为 波色子被激发,另一个轉化为热。InAs,Ge中Zn以及Si中In的实验正在进行中.能量 参考文献 [1] N.G.Basov, O.N.Krokhrin and Yu.M.Popov,Soviet Physics Uspekh, 3,.[2] W.Shockley,B.S.T.J.,28,435.[3] P.T.Landsberg,Proc.Phys.Soc.,B 69,.C.H.Champness, Proc.Phys.Soc., hz B69,1335.W.Shockley and J.T.Last, Phys.Rev.