【超纯金属与半导体材料1】上海科学技术编译馆上海.pdf

1965年4月本韓由田庚、曹国琛、莫培根主.前言半导体科学是現代新兴科学技术部門之一。半导体工业的发展,对于无线电电子工业、半导体器件的基础是半导体材料,因此材料的研制就成了当务之急。目前,半导体材料的品种很多,制备工艺板为复杂,无是应用单体或化合物,均需經过多种多样的化学及物理方法高度提纯.而且,宅們的分析测試也是一项精密的、专門的技术。近年来,国外在各种期刊、专利、会志中已发了大量有关文献资料。为了便于广大有关科技人员集中研究参考这方面的国际动态和国外的科研成果、生产工艺等,特将国外有关资料,特别是一些难得的专利鉴于国外资料浩繁分散,其内容又瑕瑜相参,如采取全、直的方法,

插页潘鸿芳福郑应揭一硅棒的制备浮区提单晶的生长浮区熔炼过程 Ⅱ浮区熔炼股备一加热器区熔炉控制备中的掺杂法少数截流子寿命的控制发展动向 I浮区提純的简单原理 Ⅲ浮区熔炼工艺一硅的物理性质国外牛导体硅生产概况 Ⅲ計算单晶掺杂的諾图一、还原溴化硼制备純硼二、还原化硼制备純硼三、碘化硼热分解制备純四、硼的区城熔化一、酸碱处理后升华或蒸二、高温处理三、铅熔池精炼四、金属磷化物分解五、气相色层法六、其他提方法附录:白磷的轉化浮区熔炼附 Ⅱ 1

二、超純硅制备方法的沿草 1.锌还原法(杜邦法)用还原SiCl的方法原为培凯托夫(H.H.BeReToB)在1865年所发现,后来杜邦公司的莱翁(D.W.Lyon)等人加以改进,于1951年正式建厂用此法制取高純硅的反应基于:900.1000℃ Si+2ZnCl(100仟卡整个流程包括粗硅氮化、SiCL提純、锌提純、还原及化学处理等工序,制得硅星針状或块状.由于用作还原剂不可避免地会引进一些杂质,因而产品质量远远落后于使用要求,拉制的单晶电阻率只有30.100欧姆厘米。日本舍化了七、八年时間想把此法制得的硅的电阻率提高到1000欧姆匪米,但未成功。