【超纯金属与半导体材料2】上海科学技术编译馆上海.pdf

20-37 王渭源王天聪曹国璨校莫培根莫培根莫培根目录现行的高质量单品的生长方法 1.对高质量单品的要求 2.拉晶法(即乔赫拉斯基(Czochralski)法)生长单晶 3.水平区熔匀质法(Zone-Leveling)生长单晶二、某些特殊要求的单晶生长 1.重掺砷单品的生长 2.刃型位错晶界双晶的生长 3.空心筒状和国盘状单晶的生长三、片状单品的生长.变通的乔赫拉斯基法 2.过冶熔体中生长带式枝蔓晶片四、气相外延生长 1.还原GeC法 2.GeH热分解法 3.的碘化物的歧化反应法 4.

些杂质很可能是在清洁拉晶锭料和单晶炉系统(地场、发热元件等)时,由于操作不慎而引进拉晶系统,然后在拉晶过程中进入了晶体。为了生长高质量单晶,应将这些杂质降至规定的水平以下。可以,有除金属杂质外,侬所用的拉晶气氛,中还溶解无影响。当应用石墨地场时,储中也溶解有碳,但并一般所不完整性是指点缺陷和位錯。在錯单中一条位錯将会增加4×10/厘米的受主中心.由于散射作用,位錯会减低载流子的迁移率,并且也是少数載流子的复合中心,后者已为少数流子的寿命和刃型位错密度間的关系所证实。

—3— 单品 Co Co/K 一悬浮内场迹通孔一外场速接杆悬重图2悬浮场生长匀质单晶 C杂质漫度,K分布采数场内掺杂元素B最初瀛度为C:(掺杂料从掺杂管加入熔体),大增场B最初度为C(掺杂料随装料时加入),M及MI各表示已生长的晶体量及小增场内的熔体量(常量),可以导得对应于M时晶体内B CaB=C-(C-KBCi)exp(KBM/M)若便C=C/KB,则CaB=Co,即得恒为C的匀质单晶。当小堆场下沉至失去悬浮后,上式不再成立,就不能得到匀质单晶,这部分的重量仅占总投料量的一小部分。